Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7

Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7

(Код: 18325)
172.23 грн.від 1 шт
166.89 грн.від 2 шт
160.47 грн.від 10 шт
Ні
На складі 0 шт


- доставка по Україні Новою поштою

- при замовленні на суму від 50 грн - самовивіз із м. Одеса

- готівка - при самовивезенні з нашого магазину

- безготівковий розрахунок (Рахунок ФОП без ПДВ)

- післяплата (Мінімальна сума замовлення 300 грн)

- платіж на IBAN ФОП (ПриватБанк)

Виробник
SILAN
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема з'єднання
Одиночний
Макс. напруга колектор-емітер
650 V
Напруга затвор - емітер
±20 V
Макс. струм колектора (25°C)
150 А
Макс. струм колектора (100°C)
75 А
Макс. постійний струм діода (25°С)           
75 А
Час відновлення діода (25°С/tmax) 45 нс (typ)
Потужність розсіювання при 25°C
416 Вт
Тип упаковки
Туба
Стандартна упаковка
30 шт

Задати питання

П.І.Б*

Телефон*

Email*

Питання

* - обязательные поля

pdf
SGT75T65SDM1P7.pdf

Розмір: 337.4 Кб