Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7

(Код: 18325)

172.23 грн.от 1 шт

166.89 грн.от 2 шт

160.47 грн.от 10 шт

Нет

На складе 0 шт

- доставка по Украине Новой почтой

- при заказе на сумму от 50 грн - самовывоз из г. Одесса

- наличный расчет - при самовывозе из нашего магазина

- безналичный расчет (Счет ФЛП без НДС)

- наложенный платеж (Минимальная сумма заказа 300 грн)

- платеж на IBAN ФЛП (ПриватБанк)

Производитель	SILAN
Корпус	TO247
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	650 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	150 А
Макс. ток коллектора (100°C)	75 А
Макс. постоянный ток диода (25°С)	75 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	45 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C	416 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	30 шт

Задать вопрос

Ф.И.О*

Телефон*

Email*

Вопрос

* - обязательные поля

Размер: 337.4 Кб