Транзистор N-Mosfet HYG042N10NS1P
Транзистор N-Mosfet HYG042N10NS1P

Транзистор N-Mosfet HYG042N10NS1P

(Код: 17795)
39 грн.от 1 шт
36.50 грн.от 10 шт
34 грн.от 50 шт
Есть на складе
На складе 36 шт
шт
39 грн.
В корзинуВ корзину


- доставка по Украине Новой почтой

- при заказе на сумму менее 50 грн - самовывоз из г. Одесса

- наличный расчет - при самовывозе из нашего магазина

- безналичный расчет

- наложенный платеж

- оплата на карту

Производитель HUAYI
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 160 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 113 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.5 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)           2...4 V
Мощность рассеяния при 25°C 200 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Задать вопрос

Ф.И.О*

Телефон*

Email*

Вопрос

* - обязательные поля