Транзистор N-Mosfet HY3208P
В корзину
- доставка по Украине Новой почтой
- при заказе на сумму от 50 грн - самовывоз из г. Одесса
- наличный расчет - при самовывозе из нашего магазина
- безналичный расчет (Счет ФЛП без НДС)
- наложенный платеж (Минимальная сумма заказа 300 грн)
- платеж на IBAN ФЛП (ПриватБанк)
|
Производитель |
Hooyi Semiconductor (Оригинал) |
|
Тип транзистора |
MOSFET |
|
Полярность |
N |
|
Максимальная рассеиваемая мощность |
226 W |
|
Предельно допустимое напряжение сток-исток |
80 V |
|
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |
25 V |
|
Пороговое напряжение включения |
4 V |
|
Максимально допустимый постоянный ток стока |
120 A |
|
Максимальная температура канала |
175 °C |
|
Общий заряд затвора |
70 nC |
|
Время нарастания |
35 ns |
|
Выходная емкость |
443 pf |
|
Сопротивление сток-исток открытого транзистора |
0.0085 Ohm |
|
Тип корпуса |
TO220FB |
Техническая документация: https://www.k206.net/upload/iblock/f99/hy3208p_hooyi.pdf
Размер: 4.7 Мб