Транзистор N-Mosfet HY3208P
Транзистор N-Mosfet HY3208P

Транзистор N-Mosfet HY3208P

(Код: 15545)
27.14 грн.від 1 шт
24 грн.від 50 шт
22.44 грн.від 250 шт
Є на складі
На складі 938 шт
шт
27.14 грн.
До кошикаДо кошика


- доставка по Україні Новою поштою

- при замовленні на суму від 50 грн - самовивіз із м. Одеса

- готівка - при самовивезенні з нашого магазину

- безготівковий розрахунок (Рахунок ФОП без ПДВ)

- післяплата (Мінімальна сума замовлення 300 грн)

- платіж на IBAN ФОП (ПриватБанк)

Виробник

Hooyi Semiconductor (Оригінал)

Тип транзистора

MOSFET

Полярність

N

Максимальна потужність, що розсіюється

226 W

Гранично допустима напруга сток-витік

80 V

Гранично допустима напруга затвор-витік

25 V

Порогова напруга включення

4 V

Максимально допустимий постійний струм стоку          

120 A

Максимальна температура каналу

175 °C

Загальний заряд затвора

70 nC

Час наростання

35 ns

Вихідна ємність

443 pf

Опір сток-витік відкритого транзистора

0.0085 Ohm

Тип корпусу

TO220FB

Транзистор HY3208P використовується в платах управління гіробордів та гіроскутерів.


Технічна документація: https://www.k206.net/upload/iblock/f99/hy3208p_hooyi.pdf

Задати питання

П.І.Б*

Телефон*

Email*

Питання

* - обязательные поля

pdf
HY3208P-HOOYI.pdf

Розмір: 4.7 Мб